| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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IPP180N10N3G |
TO-220-3 | Infineon Technologies | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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IPP180N10N3G参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 400V 43A TO220-3 包装数量：500 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：100V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：43A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：18 毫欧 @ 33A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 33µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1800pF @ 50V 功率 - 最大值：71W 安装类型：通孔 |
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